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Inline Sputter system
자동화 시스템 구축으로, 안정된 품질을 실현합니다.
제품소개
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고객지원
Inline Sputter system
Inline Sputter system
R&D System
Cluster System
6GH
8.6GH
Inline System 6GH
자동화 시스템 구측
안정된 품질확보
수직형 coating process로 수평형 대비 이물발생에 대한 개선
생산성 극대화
Tact Time - 2.5 ㎛ > 500분
Application
주로 반도체, 디스플레이, 광학 코팅, 자기 기록 매체 등 다양한 산업 분야에서 박막을 증착하는 데 적용
고융점 금속이나 복잡한 합금 등 다른 증착 방법으로는 어려운 재료의 박막 형성이 가능
Specification
Item
Description
Configuration
Process chamber, Pre-treatment chamber, LoadLock chamber
Process type
Vertical Inline sputtering system
Mask Size
6GH
Material
Al2O3(Al Target O2 reactive process)
Pre-Treatment
Ion Beam Plasma Treatment
Cathode
Bipolar Dual cathode, both side deposition, Planar type
Inline System 8.6GH
8.6GH 대형 사이즈대응
자동화 시스템 구측
안정된 품질확보
수직형 coating process로 수평형 대비 이물발생에 대한 개선
Application
주로 반도체, 디스플레이, 광학 코팅, 자기 기록 매체 등 다양한 산업 분야에서 박막을 증착하는 데 적용
고융점 금속이나 복잡한 합금 등 다른 증착 방법으로는 어려운 재료의 박막 형성이 가능
Specification
Item
Description
Configuration
Process chamber, Pre-treatment chamber, LoadLock chamber
Process type
Vertical Inline sputtering system
Mask Size
8.6GH
Material
Al2O3(Al Target O2 reactive process)
Pre-Treatment
Ion Beam Plasma Treatment
Cathode
Dual Rotary Cathode with LID system
Cathode : Type KD 5 X 2ea
Magnet : MGM 3000mm X 2ea
