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Inline Sputter system
自动化系统构建，实现稳定品质。
产品介绍
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Inline Sputter system
Inline Sputter system
R&D System
Cluster System
6GH
8.6GH
Inline System 6GH
自动化系统构建
确保稳定品质
通过垂直式涂布工艺，相较于水平式有效改善异物产生
生产效率最大化
Tact Time - 2.5 ㎛ > 500分钟
Application
主要应用于半导体、显示、光学镀膜、磁记录介质等多个产业领域的薄膜沉积。
可实现高熔点金属或复杂合金等
其他沉积方法难以完成的薄膜成形。
Specification
Item
Description
Configuration
Process chamber, Pre-treatment chamber, LoadLock chamber
Process type
Vertical Inline sputtering system
Mask Size
6GH
Material
Al2O3(Al Target O2 reactive process)
Pre-Treatment
Ion Beam Plasma Treatment
Cathode
Bipolar Dual cathode, both side deposition, Planar type
Inline System 8.6GH
8.6代大尺寸对应
自动化系统构建
确保稳定品质
通过垂直式涂布工艺，相较于水平式有效改善异物产生
Application
主要应用于半导体、显示、光学镀膜、磁记录介质等多种产业领域的薄膜沉积。
可实现高熔点金属或复杂合金等
其他沉积方法难以形成的薄膜。
Specification
Item
Description
Configuration
Process chamber, Pre-treatment chamber, LoadLock chamber
Process type
Vertical Inline sputtering system
Mask Size
8.6GH
Material
Al2O3(Al Target O2 reactive process)
Pre-Treatment
Ion Beam Plasma Treatment
Cathode
Dual Rotary Cathode with LID system
Cathode : Type KD 5 X 2ea
Magnet : MGM 3000mm X 2ea
